Технічні характеристики:
- Виробник: Infineon
- Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
- Технологія: Si
- Вид монтажу: SMD/SMT
- Конфігурація: Single
- Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 600 V
- Напруга насичення колектор-емітер: 1.95 V
- Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
- Безперервний колекторний струм при 25 C: 60 A
- Pd - розсіювання потужності: 187 W
- Мінімальна робоча температура: - 40 C
- Максимальна робоча температура: + 175 C
- Струм витоку затвор-емітер: 100 nA
Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.
Написать отзыв