HGT1S12N60A4DS

Технічні характеристики:

• Виробник: onsemi
• Категорія товару: біполярні транзистори із ізольованим затвором (IGBT)
• Технологія: Si
• Вид монтажу: SMD/SMT
• Конфігурація: Single
• Напруга колектор-емітер (VCEO), макс.: 600 V
• Напруга насичення колектор-емітер: 2.7 V
• Максимальна напруга затвор-емітер: 20 V
• Безперервний колекторний струм при 25 C: 54 A
• Pd - розсіювання потужності: 167 W
• Мінімальна робоча температура: - 55 C
• Максимальна робоча температура: + 150 C
• Безперервний колекторний струм: 60 A
• Безперервний струм колектора Ic, макс. 54 A
• Струм витоку затвор-емітер: +/- 250 nA

Для того щоб отримати кваліфіковану консультацію щодо електронних компонентів, модулів та електронних радіодеталях, купити електронні компоненти в Україні зверніться в офіс Компанії СЕА за телефоном: +38 (044) 330-00-88 або на e-mail: info@sea.com.ua.